G-news

Вторник, 24-е Октября 2017
07:02:47

Киевстар готовит радиосеть к технологиям мобильной связи четвертого поколения. Оператор модернизирует базовые станции по принципу Single RAN, что позволит в будущем быстро развернуть сеть LTE.

Более 7000 базовых станций в сети Киевстар уже оснащены оборудованием, которое может поддерживать стандарты связи 3G и 4G/LTE. В 2017 году национальный телеком-оператор планирует обновить еще 3000 базовых станций.

Благодаря быстрой модернизации сети, Киевстар уже обеспечил услугами 3G-связи около 5000 населенных пунктов, где проживает 62% населения Украины. Помимо этого, активно строятся сети 3G в зоне АТО, где Киевстар – единственный телеком-оператор, обеспечивающий местное население скоростным мобильным интернетом. Расширение сети 3G, а также новые тарифные планы, ориентированные на пользователей смартфонов, позволили клиентам Киевстар существенно увеличить потребление мобильного интернета. Так, среднее использование дата-трафика на одного абонента в сети 3G Киевстар на сегодня составляет 1,1 ГБ в месяц. Это на 80% выше аналогичного показателя 2015 года и соответствует уровню потребления в странах Западной Европы.

«Наш опыт с 3G доказывает, что украинские пользователи мобильной связи – одни из наиболее активных в мире, и с легкостью воспринимают качественный, доступный и инновационный продукт. С запуском 3G трафик передачи данных в сети Киевстар вырос за год на 109% и продолжает увеличиваться. Поэтому мы активно обновляем свою сеть, готовим ее к работе с еще более прогрессивными стандартами связи», – рассказывает Владимир Кабаненко, директор по поддержке и развитию сети Киевстар.

Модернизация радиосети Киевстар осуществляется на базе единой аппаратной платформы Single RAN. Концепция «Single RAN» (RAN – radio access network) – это возможность поддержания существующих и будущих технологий на одной аппаратной платформе. Она позволяет модернизировать сеть оператора без замены технического оборудования, лишь обновив программное обеспечение. Благодаря этому базовые станции радиосети могут работать одновременно на нескольких стандартах: например, GSM и 3G или GSM и LTE.

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о серийном производстве первых в индустрии 8-гигабитных (Гб) чипов DDR4 (double-data-rate-4) памяти 10-нанометрового (нм) класса* и предназначенных для них модулей. DDR4 быстро становится наиболее популярным типом памяти, предназначенным для персональных компьютеров и IT-сетей во всём мире. Последние достижения компании Samsung помогут ускорить переход всей индустрии к использованию передовых DDR4-продуктов.

Samsung первой в индустрии удалось открыть доступ к «оперативной DRAM-памяти 10нм класса» после решения технических проблем в области DRAM-масштабирования. Преодолеть их получилось благодаря применению иммерсионной литографии фторида аргона (ArF), в процессе которой не используется EUV (экстремальный ультрафиолет) оборудование.

Презентация оперативной DRAM-памяти 10 нм класса компанией Samsung стало ещё одним важным достижением после налаживания серийного производство первых 20нм (нм)** 4-гигабитных чипов DDR3 DRAM в 2014 году.

«Новая DRAM-память 10нм класса компании Samsung максимизирует уровень эффективности инвестиций в IT-системы, благодаря чему она станет новым двигателем роста глобальной индустрии продуктов памяти, – говорит Янг-Хьюн Джун, президент отдела Memory Business в Samsung Electronics.В ближайшем будущем мы также запустим продукты с применением DRAM-памяти 10нм класса нового поколения, которые будут отличаться высокой плотностью. Это позволит производителям мобильных устройств создавать ещё более инновационные продукты, а пользователям - наслаждаться удобством использования».

Уровень производительности передового 10нм 8-гигабитного чипа DDR4 DRAM-памяти опережает показатель аналогичного 20нм чипа более чем на 30%.

Новое поколение чипов DRAM-памяти поддерживает скорость передачи данных до 3200 мегабит в секунду, что более чем на 30% опережает показатель 20нм чипа DDR4 DRAM-памяти, который составляет 2400 мегабит в секунду. Кроме того, новые модули DRAM-памяти 10нм класса потребляют от 10 до 20% меньше энергии в сравнении с их 20нм аналогами. Это позволит повысить эффективность использования пространства при создании дизайна устройств нового поколения, а также улучшить системы высокопроизводительных вычислений (HPC), другие крупные корпоративные сети и те сети, которые используются персональными компьютерами и основными серверами.

Первая в индустрии DRAM-память 10нм класса является результатом интеграции продвинутых дизайна устройств памяти Samsung и технологии производства. Для достижения невероятно высокого уровня масштабирования DRAM-памяти Samsung было необходимо повысить и без того высокий уровень технологических инноваций, которые применялись во время создания чипов DRAM-памяти, выполненных по 20нм техпроцессу. Ключевые технологические усовершенствования включают в себя улучшения дизайна ячейки памяти, QPT (quadruple patterning technology***) литографию, а также осаждение ультра-тонкого диэлектрического слоя****.

В отличие от NAND флеш-памяти, в которой одна ячейка состоит исключительно из транзистора, каждая ячейка DRAM-памяти требует наличия конструкции из соединённых конденсатора и транзистора, в которой конденсатор зачастую помещается поверх транзистора. В случае с новой DRAM-памятью 10нм класса речь идёт о совершенно другом уровне сложности, поскольку стек образуют очень узкие конденсаторы цилиндрической формы, которые хранят ёмкие электрические заряды и находятся сверху транзисторов шириной в нанометр, что в целом образует более восьми миллиардов ячеек.

Samsung успешно создала структуру ячеек 10нм класса благодаря применению собственной технологии проектирования схемы и литографии четырёхкратного структурирования. Благодаря последнему упомянутому виду литографии, который позволяет использовать существующее фотолитографическое оборудование, Samsung удалось создать технологическую основу для разработки следующего поколения DRAM-памяти 10нм класса.

Кроме того, использование улучшенной технологии осаждения диэлектрического слоя сказалось на увеличении уровня производительности чипов DRAM-памяти, выполненных по 10нм техпроцессу. Инженеры применили ультратонкие диэлектрические слои с беспрецедентным уровнем равномерности до толщины простого однозначного ангстрем (одна десятимиллиардная часть метра) на конденсаторах ячеек. Как результат - ёмкость, достаточная для большей производительности ячейки.

Опираясь на достижения DDR4 DRAM-памяти 10нм класса, Samsung также планирует представить мобильные DRAM-решения 10нм класса с высокой плотностью и скоростью позже в этом году. Это будет способствовать дальнейшему укреплению лидерских позиций Samsung на рынке Ultra-HD смартфонов.

Одновременно с представлением широкого спектра модулей DDR4 DRAM-памяти 10нм класса ёмкостью от 4 ГБ для ноутбуков и до 128 ГБ для корпоративных серверов Samsung будет расширять линейку 20нм чипов и портфолио устройств DRAM-памяти 10нм класса на протяжении всего года.

* Примечание 1: 10-нанометровый класс обозначает узел технологического процесса где-то между 10 и 19 нанометрами, в то время как 20-нанометровый класс обозначает узел технологического процесса где-то между 20 и 29 нанометрами.

** Примечание 2: достижения Samsung в 2014 году связаны с DDR3- и DDR4-продуктами, которые используют 20-нанометровый техпроцесс, их следует отличать от техпроцесса 20-нанометрового класса. Фактически первый DRAM-продукт 20-нанометрового класса был выпущен тремя годами ранее. В 2011 году Samsung инициировала производство DDR3-чипа 20-нанометрового класса на 2 Гб. Спустя год компания запустила производство полной линейки DRAM-устройств, в которую входили 4-гигабитная DDR3-память 20-нанометрового класса и 4-гигабитные наборы и модули на основе LPDDR2.

***Примечание 3: четырёхкратное структурирование является технологией структурирования, которая применяется в производстве высококлассных интегральных схем (ИС), особенно в процессе фотолитографии. Существует немало различных способов развёртывания технологии множественного структурирования, однако общее задание состоит в том, чтобы увеличить разрешение паттерна и превысить плотность, характерную для обычной литографии.

**** Примечание 4: диэлектрические материалы характеризуются очень низкой электрической проводимостью, при которой электрическое поле может поддерживаться с минимальной утечкой. Диэлектрические материалы используются в процессе производства полупроводников множеством различных способов. Основным применением диэлектрических материалов в производстве DRAM-памяти Samsung 10-нанометрового класса является теплоизоляция конденсаторов и предотвращение электрических утечек, благодаря чему удастся добиться значительного увеличения ёмкости и высокой производительности ячеек.

Департамент «Агентство по вопросам инвестиций и развития» Одесской областной государственной администрации и национальный телеком-оператор Киевстар начали совместный проект мониторинга статистических данных, позволяющих выявлять важную для развития региона информацию. В частности, с помощью этого мониторинга можно узнать количество иностранных туристов, приезжающих в Одесскую область, горячий сезон для этой категории посетителей, а также регионы, которые вызывают наибольший интерес иностранцев, и многое другое.

Таким образом, в период с начала января по конец декабря 2015 года в сети Киевстар в Одесской области было зарегистрировано более 25 тыс. абонентов зарубежных сетей из 70 стран мира. Больше всего гостей прибыло из США (19%), РФ (16%), Молдовы (11%), Эстонии (10%), Беларуси (5%), Турции (4,3%), Израиля, Германии и Франции (3%).

Что касается сезонности, то больше всего иностранцев обычно приезжает в Одесскую область в теплое время года. Так, в прошлом году 56% иностранных туристов посетили Одесскую область в период с мая по октябрь.

Лидером по количеству посещений, конечно, является областной центр. Одессу посетили почти 48% иностранных гостей. Второе место (15%) заняли Овидиопольский и Белгород-Днестровский районы, где расположены известные курорты Каролино-Бугаз и Затока. Если говорить о юге и севере региона, то здесь доля туристических посещений незначительна – каждое из этих направлений посетили лишь 3% туристов.

«Такая информация особенно важна для предприятий и учреждений, которые заинтересованы в туристическом развитии региона. Именно такой четкий мониторинг иностранных посещений позволяет потенциальным инвесторам увидеть привлекательность региона для вложения средств в развитие туристической инфраструктуры», – говорит Роман Козловский, заведующий сектором инвестиций в туризм Департамента «Агентство по вопросам инвестиций и развития» Одесской облгосадминистрации.

«Понимая, насколько информация, которую может предоставить компания «Киевстар», является необходимой для учета дальнейшего развития стратегии курортно-рекреационного хозяйства и туризма в Одесском регионе, мы активно сотрудничаем с областной государственной администрацией и будем в дальнейшем развиваться в этом направлении. У нас работают лучшие специалисты, которые разрабатывают возможные варианты использования Big Data, которое сейчас является довольно успешным трендом за рубежом», – говорит Владимир Остащук, директор Департамента по работе с государственными предприятиями Киевстар.

С сентября 2014 года по сентябрь 2015 года месячное количество пользователей, которые заходят в Facebook с помощью мобильного интернета от Киевстар, увеличилось вдвое, превысив 1 млн. Ежедневно социальной сетью пользуются 340 тыс. абонентов, что также в два раза больше, чем год назад. Только за последний месяц число пользователей выросло на 5,8%.

Каждый месяц более 1 млн абонентов Киевстар пользуются социальной сетью Facebook через приложения и браузеры в мобильной сети. Из них 518 тысяч заходят в Facebook через мобильное приложение ОС Android, а 200 тысяч – через приложение iPhone.

Среди пользователей Facebook популярно приложение по отправке сообщений – Messenger. Ежедневно им пользуются в среднем 31 тыс. клиентов ОС Android и 22 тыс. клиентов iOS.

Представительницы прекрасного пола пользуются Facebook активнее мужчин: число женщин составляет 55%. 45% пользователей Facebook среди абонентов Киевстар – это молодежь в возрасте 25-34 лет. 25% – лица в возрасте 35-44 лет.

Более 30% пользователей Facebook находятся в Киевской области. Также социальная сеть наиболее популярна во Львовской, Днепропетровской и Одесской областях.

Недорогое решение с возможностью подключения как к ПК или ноутбуку, так и игровым консолям. О сборке, эргономике и качестве звука далее.

Комплект поставки

В симпатичной картонной коробке производителем вместе с гарнитурой предусмотрено несколько переходников для подключения к игровым консолям, а также руководство пользователя. Кроме этого, есть съемный микрофон, который подключается за пару секунд.

gg 1

Сборка и дизайн

Корпус Genius GX Zabius создан из пластика с небольшим количеством вставок других элементов. Одним из таких является плотная ткань на внутренней части ушных чашек и изголовья - очень хорошее решение с точки зрения теплопроводности. Кроме того, здесь немного металла и резины. Металл больше для декора - легко заметить, что из него реализованы вставки на внешней стороне чашек. Кроме того, стоит добавить и то, что обе эти вставки получили своего рода окантовку в виде светодиодов, интенсивность подмигивания которых напрямую зависит от громкости. Выглядит симпатично.

Качество подгонки элементов корпуса претензий не вызывает - люфт, за исключением тех частей корпуса Genius GX Zabius, где он предусмотрен особенностями конструкции, не прослеживается.

gg 2

Выше уже отмечалось, что микрофон в Genius GX Zabius съемный. Изготовлен ин с легко сгибаемой проволоки, а потому пользователь может быстро придать ему ту формы, которую захочет.

Кабель, посредством которого гарнитура «сопрягается» с компьютером или ноутбуком, тактильно достаточно мягкий, а потому я не рекомендую относиться к нему халатно. Конечно же, за две недели тестирования никаких проблем у меня не возникло, но ведь пользователь покупает игровую гарнитуру не на пару недель!

gg 3

Весьма удобным показался пульт, реализованный на этом кабеле. На нем пользователь может переключать источник звука, увеличивать/уменьшать громкость и прочее.

Окантовка USB-вилки, как, впрочем, и вилка 3,5 мм обладают золотистым напылением, предусмотренным здесь для защиты от окиси - характерная черта фактически всех устройств, входящих в игровую линейку GX.

Эргономика и звук

Genius GX Zabius отлично сидит на голове пользователя, а длительная непрерывная работа с аксессуаром не сопровождается дискомфортом. Тайна здесь «не скрывается за семью замками». Автоматическая регулировка размеров изголовья, тканевые вставки, которые приятнее других материалов, используемых в такого рода устройствах, большие чашки плюс что немаловажно, нежесткое изголовье.

gg 4

Качество звука на должном уровне, как на низких частотах, так и на высоких. Объема вполне достаточно даже для прихотливых пользователей.

Звук, передаваемый микрофоном Genius GX Zabius, моих собеседников удовлетворил.

Вместо выводов

Genius GX Zabius отлично подойдет как в роли первой игровой гарнитуры, так и гарнитуры для пользователей, имеющих некий стаж «за плечами».

gg 5

Качественная сборка и хорошие материалы, стильная внешность, грамотная эргономика и звук. На мой взгляд, этого более чем достаточно, чтобы «отбить» ценник в 590 гривен.

Ориентировочная цена: 590 гривен.

Продукт предоставлен «Анкор ЛТД».

Вы здесь: Home Новости Телеком и IT Цифровая техника